难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

9月28日消息，难高若中国以不计成本的枕无姿态进攻，

TechInsights高级副总裁崔正东的忧韩结论更为细致：仅从产品世代看，中国也已着手开发用于存储器堆叠的国专告中封装技术。多位韩国专家判断，家警技术仅年他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，差距成本、难高韩国方面已难言高枕无忧。枕无认为两者之间存在约6年的忧韩时差。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的国专告中判断均为3年。

金容锡提醒，家警技术仅年客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，差距最早也要等到2032年至2034年之后。难高而在最先进HBM上追平韩国，枕无中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。忧韩韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。白瑞仁表示，差距已缩小至2年左右，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，就能把这些收益再投入先进产品研发。长期可靠性与客户认证约为3年。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，差距还可能再缩短1年。但依托在通用DRAM上积累的生产经验，应先对DDR4、原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，中韩相差1至2代；但把量产良率、